Eine typische Charakteristik von Leuchtdichte und Spannung zeigt die Abbildung auf der linken Seite: Unterhalb der charakteristischen Schwellspannung verhält sich das Element wie ein kapazitiver Spannungsteiler. (Quelle: bmb+f Forschungslandkarte Deutschland 1998)
Schwellspannung Nun geht es darum, Leuchtschichten zu entwickeln, die Anforderungen wie eine ausreichend hohe Leuchtdichte und eine effiziente Vollfarb-Darstellung erfüllen können. (Quelle: bmb+f Forschungslandkarte Deutschland 1998)
Die Schwellspannung VT wird durch die Implantation von Bor (p-Material) erniedrigt. p-Kanal-Silizium-Gate Prozeß (p-channel silicon (Silicon Gate Technologie) gate process): Dieser Prozeß unterscheidet sich von den vorangegangenen Prozessen wesentlich. (Quelle: Schneider: Lexikon Informatik)